高亮度LED主要分為紅外光的GaAs體系和AlGaAs體系，紅、橙、黃、綠色的AlGaInP體系，綠色和藍(lán)色的InGaN體系，以及紫外光的GaN和AlGaN體系。其時InGaN體系的藍(lán)光光效現(xiàn)已較高，再接洽四元系的紅黃光，現(xiàn)已開端遍及地運用于照明、背光、展現(xiàn)、交通指示燈等領(lǐng)域。紫外光LED有著寬闊的阛阓運用遠(yuǎn)景，半導(dǎo)體紫外光源在照明、滅菌、醫(yī)療、打印、生化檢測、高密度的信息貯存和保密通訊等領(lǐng)域具有嚴(yán)厲運用代價。紅外光LED主要包羅峰值波長從850nm到940nm的紅外LED，遍及運用于遙控器、驅(qū)動器、電腦鼠標(biāo)、傳感器、寧靜設(shè)置裝備部署和展現(xiàn)器背光等領(lǐng)域，紅外LED必要連續(xù)增長的驅(qū)動力主要泉源于家用電器、寧靜體系和無線通訊產(chǎn)品等。
白光運用是藍(lán)光LED芯片的緊張阛阓，也是最為緊張的開展偏向，其選用藍(lán)光芯片加YAG黃色熒光粉然后組成白光光源。其時，天下LED大廠在大功率藍(lán)光芯片方面有著較為明顯的上風(fēng)，而海內(nèi)LED芯片公司其時主要是在中小功率藍(lán)光芯片方面有較大的開展，但由于前幾年的過分出資致使了產(chǎn)能過剩，致使中小功率藍(lán)光芯片阛阓出現(xiàn)了較為嚴(yán)厲的“代價戰(zhàn)”。關(guān)于藍(lán)光LED芯片而言，主要的開展偏向為硅基LED防爆燈炷片、高壓LED芯片、倒裝LED芯片等。關(guān)于中小功率LED芯片阛阓而言，其時干流阛阓的趨向為0.2-0.5W阛阓，封裝要領(lǐng)包羅2835、5630以及COB封裝等。關(guān)于別的細(xì)分領(lǐng)域，如筆挺結(jié)構(gòu)的芯片，封裝后可以大概運用于指向性照明運用，如手電、礦燈、閃光燈、射燈等燈具產(chǎn)品中。
硅襯底LED芯片漸受器重
其時阛阓上干流的藍(lán)光芯片通常都是在藍(lán)寶石襯底上發(fā)展，其間以日即日亞公司為代表；別的另有一種藍(lán)光芯片是在碳化硅襯底上發(fā)展，以美國科銳公司為代表。
這些年硅襯底上發(fā)展LED防爆燈的藍(lán)光LED芯片越來越遭到各人的器重。硅襯底由于可以大概選用IC廠的主動生產(chǎn)線，相比簡樸選用其時IC工場的6寸和8寸線的老練技能，再加上大標(biāo)準(zhǔn)硅襯藍(lán)資本相對低價，因此未來硅襯底LED芯片的資本預(yù)期會大幅度降落，也可推進(jìn)半導(dǎo)體照明的疾速浸透。
